スケジュール 0 コメント (0) [P-16] Spherical Shallow Trench Isolation with silicon nitride layer in Buried Gate DRAM for reducing pass gate disturbance *YeonSeok Kim1,2, ChangYoung Lim1,2, MinWoo Kwon1,2 (1. National Univ. of Gangneung-Wonju (Korea), 2. Lab. of ISDL (Korea)) 抄録パスワード認証抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。 パスワード 認証