[C-10] 電子デバイス

[C-10-5] InGaAs/InAs複合チャネルを有するInP-HEMTのノイズ特性の比較解析

^○佐々木太郎, アブドイブラヒム, 堤卓也, 杉山弘樹, 中島史人 (NTT)

この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。

キーワード：InP-HEMT、複合チャネル、Noise figure、インパクトイオン化

In組成の異なるInGaAs複合チャネル（Composite channel: CC）とInAs CC HEMTのNoise Figure (NF)を評価・比較した結果について報告する。NFのバイアス依存性の比較から、InAsなどの高電子移動度チャネルを採用する場合には、80－100 GHzという高周波領域においても、NFに対するインパクトイオン化の影響が顕著となることが定量的に示された。本結果は、LNA に適用されるInP-HEMTに対し、高速性だけでなく低ノイズ化という観点からも短チャネル効果低減の重要性を示している。