[C-14] マイクロ波テラヘルツ光電子技術

[C-14-5] A study on improving the sensitivity of high frequency electric field imaging using a high sensitivity polarization image sensor

^○岡田竜馬¹, 水野麻弥², 竹原浩成¹, 春田牧人³, 田代洋行⁴, 太田淳¹, 笹川清隆¹ (1.奈良先端大, 2.NICT, 3.奈良先端大/千歳科技大, 4.奈良先端大/九大)

この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。
この講演はキャリアエクスプローラーの掲載を希望しています。

Keywords:電界分布計測、高感度偏光CMOSイメージセンサ、電気光学効果、EOイメージング

本研究では，我々が開発した高感度偏光イメージセンサと電気光学(EO)結晶を組み合わせた高周波電界イメージングの感度改善に向けた検討を行った．我々の高感度偏光イメージングシステムでは，各画素上にワイヤグリッド偏光子を搭載した偏光イメージセンサに一様な偏光子を重ねた2重偏光子構成とすることで，画素への入射光量を低減し，画素飽和を回避することが可能となる．そのため，大きな入射光量をEO結晶に入射可能となり，電界イメージングの感度改善が期待される．入射光量を変化させてSNRを計測した結果，画素の飽和特性を考慮すると，入射光量24 dBm以上にて，SNRが56 dB以上に向上することを明らかにした．