[C-14] マイクロ波テラヘルツ光電子技術

[C-14-6] 表面フォノン放射によるテラヘルツ波発生の有限要素解析

^○清田将生¹, 四方潤一¹, 大野誠吾², 俵毅彦¹, 南出泰亜³ (1.日大, 2.東北大, 3.理研)

キーワード：テラヘルツ波、表面フォノン放射、有限要素解析、電磁場パターン、分散関係

表面フォノンと自由伝搬の電磁波が結合する現象（表面フォノン放射）を利用すると、これまで固体中では禁制帯となる周波数帯において、テラヘルツ波の発生が可能である。我々は、既にLiNbO3結晶の負誘電率領域における表面フォノン放射を見出しており、本研究ではテラヘルツ波デバイス構造の設計に向けて、表面フォノン放射現象の振舞いが明らかなSiC回折格子について電磁場解析を行った。その結果、電磁場の強度分布においてテラヘルツ波放射される様子を確認するとともに、放射角度から算出した分散関係は先行研究とよく一致し、本解析の有効性を確認できた。