[C-2A] マイクロ波A

[C-2-12] セルフターンオン現象を利用したGaN HEMT によるリーマンポンプ型RF-Power DAC

^○淵辺悠太, 坂田修一, 小松崎優治, 新庄真太郎 (三菱電機)

この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。

キーワード：DA変換、GaN、デジタルRF、リーマンポンプ

多ビット化に向けたリーマンポンプ型DA変換器(RP-DAC)のための新しい回路構成を提案する。RP-DACはブリッジ回路で構成されたDA変換器であり、高電圧側および低電圧側のトランジスタのターンオン・オフを適切に切り替えることで、出力側負荷容量への電流量を調節し所望の電圧波形を生成する。本報告では、セルフターンオン現象のメカニズムを一部利用し、別途の制御機構を組み込むことなく高電圧側トランジスタのターンオン・オフを切り替えることができる回路構成を提案する。また、提案する構成の実現性を確認するため、GaN HEMTを用いた1ビットRP-DACの評価モジュールを作製し評価を行ったので報告する。