[C-2A] マイクロ波A

[C-2-18] 920 MHz band rectenna using the gated anode diode with the coated carbon nanotube TFT

^○平井司¹, 竹本明寿也², 坂井尚貴¹, 野口健太², 堀井新司², 伊東健治¹ (1.金沢工大, 2.東レ)

この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。

Keywords:レクテナ、無線電力伝送、カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ

本報告では薄形で安価な塗布プロセスが適用可能なカーボンナノチューブ薄膜トランジスタ (carbon nanotube thin –film transistor: CNT-TFT) による920MHz帯レクテナについて述べる．ここでは高い移動度が得られるCNT-TFTによりgated anode diode (GAD)を構成し，整流素子としている．このCNT-TFT GADは強い周波数分散特性を有するため，直流特性と高周波特性を用いモデル化している．このCNT-TFT GADにより倍電圧整流器を構成し，さらに高利得特性を有するデュアルループアンテナと接続し，レクテナを構成している．試作した920MHz帯レクテナの大きさは46mm x 92mmであり，基準アンテナへの受電電力0dBmの条件で0.41Vの出力電圧を確認した．これはEIRP 2Wの送信機から1.48m離れた場所での受電に相当する測定条件である．