[C-2-5] 準同軸構造グァネラバランGaAs ICの試作結果
キーワード：バラン、グァネラ、同軸、GaAs
平衡-不平衡変換を行う高周波回路としてマーチャントバランが良く用いられている．ただし，2つのλ/4結合線路で構成されるため小型化の課題がある．ここではバランの小型化に向けて，1つのλ/4同軸伝送線路で構成可能なグァネラバランを準同軸構造によりGaAs IC上に形成した．試作の結果，4～15GHzで，3dBの分配損とI/O パッドの損失を含む挿入損失は6.3±1.4 dB，振幅インバランスは0.7dB以下，位相インバランスは10.9度以下が得られた．I/O パッドを除くグァネラバランのコアサイズは425μm×345μmである．併せて作製したマーチャントバランと比較して同等の性能で22.2%の小型化が図れた．
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