[C-2A] マイクロ波A

[C-2-8] 40GHz GaN HEMT Amplifier Utilizing the Standing-wave Controlled Gate

^○原信二, 作野圭一, 末松英治 (名大)

Keywords:定在波、分布定数線路、ゲート、40GHz、増幅器

筆者らは、FETのゲート電極構造を分布定数線路としてモデル化を行いゲート電極上の電圧分布の解析を行うことで、ミリ波帯での利得低下要因を明らかにするとともに、給電点とは反対側のゲート端に反射素子を設けることで利得低下要因の補償が可能なことを実証しきた[1,2]。
今回、その技術、SC-gate (Standing-wave Controlled gate)構造を用いることで、fmax近傍で動作する一段増幅器を試作したので、その特性を報告する。