2023年電子情報通信学会ソサイエティ大会

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[C-3/4] 光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス

2023年9月13日(水) 13:00 〜 16:45 全学教育棟 本館 中棟 2階C25講義室

座長:藤澤剛(北大),庄司雄哉(東工大),藤方潤一(徳島大)

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光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス研専

[C-3/4-20] Wafer- and chip-level characterization of photonic integrated circuits by cascaded grating-couplers and spot-size converters

Moataz Eissa1, Ryuya Sasaki1, Tsuyoshi Horikawa1, Tomohiro Amemiya1, Nobuhiko Nishiyama2 (1.Tokyo Tech, 2.Tokyo Tech)

キーワード:Silicon Photonics

Wafer-level testing is crucial reduce the cost of silicon photonic integrated circuits. However, to proceed to wafer-level testing, utilization of grating couplers (GCs) is needed, which have relatively large loss compared with edge coupling structures using spot-size converters. Therefore, wafer-level testing is usually performed only for a test element group (TEG) pattern. In this work, we would like to propose the structure with both GCs and SSCs in same device to realize a wafer-level testing to estimate the characteristics of final chip-level devices. Good agreement between wafer- and chip-level measurments of was obtained.

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