[C-3/4] 光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス

[C-3/4-28] 斜めに切断した光ファイバとシリコン光回路の結合構造の特性

^○笹澤駿斗, 中川大輔, 津田裕之 (慶大)

この講演は本会「学術奨励賞受賞候補者」の資格対象です。

キーワード：光ファイバ、シリコン光導波路、スポットサイズ変換器、結合構造

シリコンフォトニクスの活用により、低コストに高性能な光通信素子が製造可能であり、光通信システムの経済化が期待される。そこで、光ファイバとシリコン光導波路を容易にかつ高効率に結合させる構造が必要となる。現在用いられている結合構造にはエッジカプラやグレーティングカプラなどがあるが、エッジカプラはマルチコアファイバには使えず、グレーティングカプラは結合損失が大きく、光の波長1.5 μmから1.6 μmにおいて5 dB程度の波長依存性が現れてしまうという問題点がある。本研究では、逆テーパ構造のシリコン光導波路によるスポットサイズ変換器の上面から斜めに切断した光ファイバを結合させる結合構造を作成し、結合損失がTE波、TM波でそれぞれ、6.09 dB、6.53 dBという測定結果を得た。