[C-3/4] 光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス

[C-3/4-37] Low dark current backside-illuminated photodiode for 200Gb/s operation with wide alignment tolerance

^○竹村亮太, 坪内大樹, 大野彰仁, 山内康寛 (三菱電機)

Keywords:フォトダイオード

通信トラフィックの急激な増加に伴い、光通信ネットワークには高速化が求められている．現在、次世代の800Gb/s・1.6Tb/s通信規格の標準化が進められており、レーンあたりのビットレートは200Gb/s、かつ複数レーン使用が想定されている．短距離用途ではPAM4方式の採用が見込まれており、対応する光通信デバイスは100Gbaud動作が必要となる．今回、200Gb/s用に100Gbaud動作可能な、低暗電流・大受光径・広帯域を兼ね備えた裏面入射型フォトダイオードを実現したので報告する．