[C-3/4-37] （依頼講演30分）200Gb/s用低暗電流・大受光径裏面入射型フォトダイオード
キーワード：フォトダイオード
通信トラフィックの急激な増加に伴い、光通信ネットワークには高速化が求められている．現在、次世代の800Gb/s・1.6Tb/s通信規格の標準化が進められており、レーンあたりのビットレートは200Gb/s、かつ複数レーン使用が想定されている．短距離用途ではPAM4方式の採用が見込まれており、対応する光通信デバイスは100Gbaud動作が必要となる．今回、200Gb/s用に100Gbaud動作可能な、低暗電流・大受光径・広帯域を兼ね備えた裏面入射型フォトダイオードを実現したので報告する．
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