[C-9] 電子ディスプレイ

[C-9-2] Evaluation of interfacial growth phase of deep-ultraviolet emitting ZnAl₂O₄ thin films

^○足立駿¹, 竹舎大智¹, 井上晃佑¹, 小南裕子¹, 原和彦¹, 山路晃広², 黒澤俊介² (1.静岡大, 2.東北大)

Keywords:深紫外発光、ZnAl2O4薄膜、CL

殺菌・浄水分野において、260 nm付近の紫外光が最も強く作用すると云われているが、水銀ランプやキセノンランプなど、既存の殺菌用紫外光源は環境負荷や発光効率の観点から利用が望ましくない。そこで高効率・長寿命・低コスト・低環境負荷な新たな殺菌用紫外発光デバイスの開発を目指して研究を行っている。現在、新たな固体紫外発光デバイスの発光層として、ZnAl₂O₄薄膜の作製および表面から界面にかけての構造評価を行っている。ZnAl₂O₄薄膜のCLおよびXRD測定から、薄膜内部約400 nmの領域に概ね均一且つ良質なZnAl₂O₄発光層が形成されていることが分かった。また、基板界面付近では目的相だけでなくZn添加アルミナ相が存在する可能性が確認された。