[C-5-5] The Potential of III-Nitrides for Use in High-Speed Field-Effect Transistors

Frank Schwierz、Gerhard Gobsch (1.Technische Universitat Ilmenau, Institut Festkorperelektronik、2.Technische Universitat Ilmenau, Institut fur Physik)

https://doi.org/10.7567/SSDM.1999.C-5-5