[J-8-4] Endurance Characterization of Ferroelectric Cell in 64Mb FRAM Device By Analyzing the Space Charge Concentration

E. S. Lee, Y. M. Kang, D. J. Jung, H. H. Kim, Y. K. Hong, J. H. Park, S. K. Kang, J.-H. Kim, H. S. Kim, W. W. Jung, W. S. Ahn, J. Y. Jung, J. Y. Kang, D. Y. Choi, H. K. Goh, S. Y. Kim, S. Y. Lee, H. S. Jeong (1.Advanced Technology Team 2, Semiconductor R&D center, 2.Samsung Electronics Co. LTD.)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2007.J-8-4