Advantage of High-pressure Oxidation for Ge/GeO<sub>2</sub> Stack Formation

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials

2010年9月21日〜 2010年9月24日
The University of Tokyo, Tokyo, Japan

C. H. Lee¹、T. Nishimura^1,2、T. Tabata¹、S. Wang¹、K. Nagashio^1,2、K. Kita^1,2、A. Toriumi^1,2 (1.Univ. of Tokyo、2.JST-CREST , Japan)