[E-9-4] Effects of Reactive Ti Creating Oxygen Vacancy Inside TiO₂ on Resistive Switching Characteristics in Resistive Random Access Memory Device

S. J. Kim¹, M. G. Sung¹, W. G. Kim¹, J. Y. Kim¹, J. H. Yoo¹, J. N. Kim¹, B. G. Gyun¹, J. Y. Byun¹, M. S. Joo¹, J. S. Roh¹, S. K. Park¹ (1.Hynix Semiconductor Inc. , Korea)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2010.E-9-4