[H-2-4] TEM characterization of epitaxial graphene formed on Si(111), Si(110), Si(100)

H. Handa¹, R. Takahashi¹, S. Abe¹, K. Imaizumi¹, M. H. Jung¹, S. Ito¹, H. Fukidome¹, M. Suemitsu^1,2 (1.Tohoku Univ., 2.CREST-JST , Japan)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2010.H-2-4