Annealing Effects on Ge/SiO<sub>2</sub> interface Structure in wafer-bonded germanium-on-insulator substrates

2010 International Conference on Solid State Devices and Materials

2010年9月21日〜 2010年9月24日
The University of Tokyo, Tokyo, Japan

O. Yoshitake¹、J. Kikkawa¹、Y. Nakamura¹、A. Sakai¹、E. Toyoda²、H. Isogai²、K. Izunome² (1.Osaka Univ.、2.Covalent Silicon Co., Ltd. , Japan)