Device characteristics of planar-type In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As channel band-to-band tunneling MOSFETs

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

R. Iida¹、S. H. Kim¹、M. Yokoyama¹、N. Taoka¹、S. H. Lee¹、M. Takenaka¹、S. Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo , Japan)