Control of Surface Roughness on Ge by Wet Chemical Treatments and Its Effects on Electron Mobility in n-FETs

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

C. H. Lee^1,2、T. Nishimura^1,2、T. Tabata^1,2、M. Yoshida¹、K. Nagashio^1,2、K. Kita^1,2、A. Toriumi^1,2 (1.Univ. of Tokyo、2.CREST-JST , Japan)