Theoretical Study on the Effect of Size and Interface of Si Quantum Dots on Carrier Multiplication

2011 International Conference on Solid State Devices and Materials

2011年9月27日〜 2011年9月30日
Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan

S. Hirose¹、R. Nagumo¹、R. Miura¹、A. Suzuki¹、H. Tsuboi¹、N. Hatakeyama¹、H. Takaba¹、A. Miyamoto¹ (1.Tohoku Univ. , Japan)