High Performance Dual Gate Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor with Nanometer Dot-like Doping

2012 International Conference on Solid State Devices and Materials

2012年9月25日〜 2012年9月27日
Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan

H. W. Zan¹、C. H. Liao¹、C. H. Li¹、C. C. Tsai¹、W. T. Chen²、C. H. Hsu² (1.National Chiao Tung Univ.、2.E Ink Holdings Inc. , Taiwan)