[PS-6-14] Normally-off recessed AlGaN/GaN MOSHFETs using ICPCVD SiO2

B. R. Park¹, J. G. Lee¹, I. H. Min², K. S. Seo², H. Y. Cha¹ (1.Hongik Univ., 2.Seoul National Univ. , Korea)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2012.PS-6-14