Sb-diffused Source/Drain Ultra-thin Body Ge-On Insulator nMOSFETs Fabricated by Ge Condensation

2013 International Conference on Solid State Devices and Materials

2013年9月24日〜 2013年9月27日
Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan

W.K. Kim¹、Y. Kin¹、Y.H. Kim¹、S.H. Kim¹、T. Osada²、M. Hata²、M. Takenka¹、S. Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo、2.Sumitomo Chemical Co. Ltd. (Japan))