2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
2016年9月26日 〜 2016年9月29日 Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
11:00 〜 11:03
[PS-13-01] Thickness-Dependent Flatband Voltage Shift in MOSCAP with MoS2 and High-k Gate Dielectric
○R. Yang1, J. Cai2, S. Wang2, D. Chi2, K. W. Ang1 (1.National Univ. of Singapore(Singapore), 2.Institute of Materials Research and Engineering(Singapore))
