2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

11:42 〜 11:45

[PS-13-15(Late News)] First-Principles Device Simulations of All Two-Dimensional Material Tunneling Field-Effect Transistors

^○M. Ohfuchi¹, T. Ozaki² (1.Fujitsu Labs. Ltd.(Japan), 2.Univ. of Tokyo(Japan))

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