2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

11:18 〜 11:21

[PS-14-07] Ohmic Contact on N-type and P-type Ion-implanted 4H-SiC with Low-temperature Silicide-less Process

^○H. Shimizu¹, A. Shima¹, Y. Shimamoto¹ (1.Hitachi, Ltd.(Japan))

Tweet