A Surface-Potential-Based Reverse-Transfer Capacitance Model for Vertical SiC DMOSFET

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

11:21 〜 11:24

^○M. Shintani¹, Y. Nakamura¹, M. Hiromoto¹, T. Hikihara¹, T. Sato¹ (1.Kyoto Univ.(Japan))