2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

11:24 〜 11:27

[PS-14-09] Oxidation Mechanism of 4H-SiC in Dilute N₂O Ambient

T. H. Wu¹,^○B. Y. Tsui¹, Y. H. Tseng¹, C. T. Yeng², C. C. Hung², C. Y. Lee² (1.NCTU(Taiwan), 2.Hestia-Power Inc.(Taiwan))

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