Poly-InSb nMOSFETs for Monolithic 3DIC

M. Takahashi

doi:https://doi.org/10.7567/SSDM.2016.PS-2-5-06

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

15:00 〜 17:00

[PS-2-06] Poly-InSb nMOSFETs for Monolithic 3DIC

^○M. Takahashi^1,2, T. Irisawa², W. H. Chang², J. Tominaga², S. Fujikawa¹, H. Fujishiro¹, T. Maeda^1,2 (1.Tokyo Univ. of Science(Japan), 2.AIST(Japan))

https://doi.org/10.7567/SSDM.2016.PS-2-5-06

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