Performance Comparison of Si, In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As and GaSb 10-nm Double Gate nMOSFETs by Deterministically Solving Time Dependent BTE

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

15:00 〜 17:00

^○S. Di¹, L. Shen¹, Z. Lun¹, P. Chang¹, K. Zhao^1,2, T. Lu¹, G. Du¹, X. Liu¹ (1.Peking Univ.(China), 2.Beijing Info. Sci. and Tech. Univ.(China))