2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
2016年9月26日 〜 2016年9月29日 Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
11:15 〜 11:18
[PS-3-06] Temperature and Doping Concentration Dependence Characteristics in Junctionless Gate-all-Around Polycrystalline Silicon Thin-Film-Transistors
○C. T. Tso1, T. Y. Liu1, F. M. Pan1, J. T. Sheu1 (1.NCTU(Taiwan))
