Multilayer TiNi Alloys as Gate Metal for InGaAs MOS Devices

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

11:36 〜 11:39

H. Do¹, Q. Luc¹, M. Huu Ha¹, S. Huynh¹, C. Chang¹, J. Lin¹,^○K. Yang¹, C. FanChang¹, Y. Lin¹, E. Chang¹ (1.NCTU(Taiwan))