Equivalent Oxide Thickness Self-Reduction and Work Function Self-Alignment Using Ti/AlN Doping Layer for Mo/HfO<sub>2</sub>/InGaAs NMOS

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

15:00 〜 17:00

^○H. Do¹, Q. Luc¹, M. Ha¹, S. Huynh¹, C. Chang¹, J. Lin¹, K. Yang¹, C. Chang¹, Y. Lin¹, E. Chang¹ (1.NCTU(Taiwan))