Effects of Different Fe-doped GaN Buffer in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

11:18 〜 11:21

^○S. C. Chen¹, J. W. Chiu¹, B. H. Li¹, H. C. Chiu¹, R. Xuan², C. W. Hu² (1.Chang Gung Univ.(Taiwan), 2.Episil-Precision Inc(Taiwan))