2016 International Conference on Solid State Devices and Materials

2016年9月26日〜 2016年9月29日
Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan

11:24 〜 11:27

[PS-6-09] The Influence of AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode (SBD) with SiH₄ Doping in Barrier Layer

^○J. W. Chiu¹, S. C. Chen¹, B. H. Li¹, H. C. Chiu¹, R. Xuan², C. W. Hu² (1.Chang Gung Univ.(Taiwan), 2.Episil-Precision Inc(Taiwan))

Tweet