2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
2016年9月26日 〜 2016年9月29日 Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan
11:24 〜 11:27
[PS-8-09] The Properties of the InxGa1-xSb Epilayer Grown on GaAs Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using the Interfacial Misfit Dislocation Technique
○S. Huynh1, Q. Luc1, M. Ha1, H. Do1, H. Yu1, E. Chang1 (1.NCTU(Taiwan))
