Investigation on Parasitic Loss at the AlN/Si Interface for GaN-HEMTs Application

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

11:00 〜 13:30

^○Y.H. Chen¹, T.T. Luong¹, V. Nagarajan¹, T.H. Chiang¹, E.Y. Chang¹ (1.National Chiao Tung University (Taiwan))