Inserted-cation-dependent Device Characteristic of SrVO<sub>3</sub>-based All-solid-state Redox Transistor

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

11:00 〜 13:30

^○M. Takayanagi^1,2, T. Tsuchiya¹, W. Namiki^1,2, T. Higuchi², K. Terabe¹ (1.NIMS (Japan), 2.Tokyo Univ. Sci. (Japan))