Stacked Source/Drain Electrode Structure of InGaZnO Thin-Film-Transistor for Low Contact Resistance and Suppressing Channel Shortening Effect

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

16:46 〜 16:47

^○J. Kataoka¹, N. Saito¹, T. Ueda¹, T. Tezuka¹, T. Sawabe¹, K. Ikeda¹ (1.Toshiba Memory Corp. (Japan))