15:15 〜 15:30 △ [18p-Z05-7] NO窒化処理を施したSiO2/4H-SiC(112(_)0)界面のX線光電子分光分析 〇中沼 貴澄1、細井 卓司1、染谷 満2、岡本 光央2、志村 考功1、渡部 平司1 (1.大阪大工、2.産総研)