[16a-Z10-1~10] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[16a-Z10-6] バルクシリコン基板上SiN_x光導波路の検討(2)

〇土谷 塁¹、小山田 亮太¹、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：窒化シリコン、反応性スパッタ、光導波路

反応性スパッタ法により堆積したSiN_xを赤外吸収および屈折率スペクトルにより評価した．N-H結合が少なく，ほぼ化学量論組成に一致するSiN_xを形成できた．熱光学係数は3×10 ^-5 K^-1であり，Siよりも約1桁小さい．