[16a-Z13-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[16a-Z13-10] 化学気相成長法を用いて形成した厚絶縁膜の化学結合と電気特性の関係

〇阿久津 敏¹、伊藤 和幸¹、菊地 拓雄¹、牧野 伸顕¹、北原 義之¹、大黒 達也²、藤 慶彦²、高橋 眞理²、樫浦 由貴子² (1.東芝、2.東芝デバイス&ストレージ)

キーワード：半導体、絶縁膜、信頼性評価

近年，産業機器や医療機器等の様々なシステムで電動化が進んでいる．これらの機器では，故障や感電を防ぐ目的で，高電圧で動作する回路と低電圧で動作する回路を電気的に絶縁しながら信号をやり取りするための絶縁デバイスが用いられる．絶縁デバイスの開発において，高耐圧かつ高信頼性を確保するため，絶縁膜を数μmオーダの厚膜で形成する必要がある．しかし，厚絶縁膜における破壊寿命のワイブル係数βは膜厚に比例して大きくなる等の知見が報告されているが，絶縁破壊のメカニズムについては十分に検討されていない．本研究では，プラズマCVD法を用いて形成した膜厚300nmの絶縁膜における耐圧と化学結合の関係を明らかにする．