[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-4] Niナノインクを用いて印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価

〇川角 優斗¹、安井 悠人¹、柏木 行康²、玉井 聡行²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.大阪産業技術研)

キーワード：窒化ガリウム、プリンテッドエレクトロニクス、界面顕微光応答法

界面顕微光応答法（SIPM）により，Niナノインクを用いて印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価を行った．熱処理温度400 °Cでは，直列抵抗が大きく，電極全体で光電子収率（Y）の不均一がみられた．500 °Cでは，ショットキー障壁高さ(qφ_B)が1.21 eVと大きい良好なI-V特性が得られ，高い均一性を示した．600 °Cでは，大きく整流性を失った． Niナノインクの印刷がn-GaN上のショットキー接触の形成に有望であることを示した．