[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-9] AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析

〇成田 哲生¹、伊藤 健治¹、冨田 一義²、堀田 昌宏²、菊田 大悟¹ (1.豊田中研、2.名古屋大)

キーワード：パワー半導体素子、金属-酸化物-半導体 電界効果トランジスタ、チャネル移動度

AlSiO/p型GaN-FETのMOS界面に3 nmのSiO₂、AlNまたはAl₂O₃界面層を設け、g_mから求めた実効移動度と、伝達特性のヒステリシス及びしきい電圧（V_t）との相関を調べた。その結果、SiO₂界面層付きMOSFETの移動度が最も高く(~60 cm²/Vs)、ヒステリシスが最小であった。また、移動度が高いほどV_tが低い傾向がみられた。実効移動度と、ヒステリシス及びV_tとの相関は、界面トラップへの電子捕獲で説明できる。この仮説は、ゲート電圧印加のホール効果測定で裏付けられた。