[16a-Z33-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-Z33-4] 真空紫外光(172 nm)照射によるPLD合成NiO薄膜の導電性への影響

〇(M1)金子 健太¹、篠崎 佳晴¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

キーワード：酸化ニッケル、真空紫外光、エピタキシャル薄膜

NiOはp型のワイドギャップ半導体として知られており、Liドーピングによって導電性が向上することが報告されている。また、低圧水銀ランプを用いたUV/O₃処理により導電性の向上が報告されており、本研究ではXe2エキシマランプ(λ=172 nm)による真空紫外光照射が構造および導電性に与える影響について検討した。薄膜はPLD法によりα-Al2O3(0001)基板に堆積した。