[16p-Z10-1~17] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[16p-Z10-10] Si マッハ・ツェンダ変調器とInGaAsP DFB レーザのSi 基板上集積

〇相原 卓磨¹、開 達郎¹、藤井 拓郎¹、武田 浩司¹、土澤 泰¹、硴塚 孝明¹、福田 浩¹、松尾 慎治¹ (1.NTT)

キーワード：ヘテロジニアス集積、レーザ

通信トラフィックの増大に伴い光送受信器の大容量化および小型・低コスト化が求められている。この要求に対し特に我々は光源を含んだ光集積回路の実現を目指し化合物半導体のSi 基板上ヘテロジニアス集積に注目している。先行研究では外部ファブの8 インチプロセスで作製したSi のマッハ・ツェンダ変調器にInGaAsPのDFB レーザを集積しNRZ 32 Gbit/s の変調動作を実証した。本研究では更なる大容量化に向けて多値変調の動作実証をしたので報告する。