2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年3月16日(火) 13:30 〜 16:15 Z23 (Z23)

末益 崇(筑波大)、原 康祐(山梨大)

16:00 〜 16:15

[16p-Z23-10] β-FeSi2 pnホモ接合素子の作製と光応答特性

木下 涼太1、山戸 一輝1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)

キーワード:β-FeSi2、pnホモ接合、フォトダイオード

これまで我々は,不純物添加によるβ-FeSi2の伝導制御を試み,Al添加濃度1.4%以上で高正孔密度(p+ ~ 1019 cm-3)のp型伝導を得た.また,Sb添加量と成長時のSi/Fe組成比制御により,電子密度(n = 1017 ~ 1019 cm-3)の制御に成功してきた.本研究では,Si基板上へp+-β-FeSi2/n+-β-FeSi2ホモ接合をエピタキシャル成長し,電流-電圧(I-V)および分光感度特性を評価したので報告する.