[16p-Z23-1~10] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-Z23-4] 近接蒸着法によるCaGe₂成膜とゲルマナンへの変換

〇原 康祐¹、國枝 慎¹、山中 淳二²、有元 圭介¹、伊藤 麻維³、黒澤 昌志^3,4 (1.山梨大クリスタル研、2.山梨大機器分析、3.名大院工、4.名大高等研究院)

キーワード：層状物質、蒸着

FETのチャネル材料として期待される層状物質ゲルマナン(GeH)は、CaGe₂の低温HCl処理により作製できるが、CaGe₂の成膜法は分子線エピタキシーに限られている。本研究は、高速で大面積成膜が可能な近接蒸着法により、GeHに変換可能なCaGe₂の成膜が可能か明らかにすることを目的に調査を行った。800 °Cで成膜したCaGe₂の低温HCl処理によりGeHへの変換に成功した。